FQAF13N80

Изображенията са само за справка
Номер на частта
FQAF13N80
Производител
onsemi / Fairchild
Категории
MOSFET
RoHS
Технически данни
описание
MOSFET 800V N-Channel QFET

Спецификации

Производител
onsemi / Fairchild
Категории
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
8 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-3PF-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
120 W
Qg - Gate Charge
88 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
750 mOhms
Technology
SI
Tradename
QFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V

Последни ревюта

Perfectly.

Everything is excellent! recommend this seller!

Shipping a little 1 weeks, normal packing, the procedure is complete.

The goods are OK, thank you dealers.

Order is very quickly, before Moscow flew for 12 days! Many thanks to the seller!

Също може да харесате

Хората гледат FQAF13N80 след това са закупени

Свързани ключови думи за FQAF

  • FQAF13N80 Интегрирана
  • FQAF13N80 RoHS
  • FQAF13N80 PDF Datasheett
  • FQAF13N80 Технически данни
  • FQAF13N80 част
  • FQAF13N80 Купува
  • FQAF13N80 Дистрибутор
  • FQAF13N80 PDF
  • FQAF13N80 Компонент
  • FQAF13N80 интегрални схеми
  • FQAF13N80 Изтеглете PDF
  • FQAF13N80 Изтеглете таблица с данни
  • FQAF13N80 захранване
  • FQAF13N80 доставчик
  • FQAF13N80 Цена
  • FQAF13N80 Информационен лист
  • FQAF13N80 Изображение
  • FQAF13N80 снимка
  • FQAF13N80 Складова наличност
  • FQAF13N80 Наличност
  • FQAF13N80 оригинал
  • FQAF13N80 Най-
  • FQAF13N80 отличен
  • FQAF13N80 Без олово
  • FQAF13N80 спецификация
  • FQAF13N80 Горещи оферти
  • FQAF13N80 Цена на прекъсване
  • FQAF13N80 Технически данни