FQAF11N90C

Изображенията са само за справка
Номер на частта
FQAF11N90C
Производител
onsemi / Fairchild
Категории
MOSFET
RoHS
Технически данни
описание
MOSFET N-CH/900V/7A/A.QFET

Спецификации

Производител
onsemi / Fairchild
Категории
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
7.2 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-3PF-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
120 W
Qg - Gate Charge
80 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
1.1 Ohms
Technology
SI
Tradename
QFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
900 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V

Последни ревюта

Thank you! Received consistent. Long Service. Walking in Russia! Seller recommend!!!

goods delivered was отслеживался very fast (башкирию 7 days) excellent дошло seller in excellent condition all recommend!!!!

Great product. Arrived ahead of time. Thank you

Product as shown in the description, excellent seller, I recommend this seller.

Product Description. highly recommend.

Също може да харесате

Хората гледат FQAF11N90C след това са закупени

Свързани ключови думи за FQAF

  • FQAF11N90C Интегрирана
  • FQAF11N90C RoHS
  • FQAF11N90C PDF Datasheett
  • FQAF11N90C Технически данни
  • FQAF11N90C част
  • FQAF11N90C Купува
  • FQAF11N90C Дистрибутор
  • FQAF11N90C PDF
  • FQAF11N90C Компонент
  • FQAF11N90C интегрални схеми
  • FQAF11N90C Изтеглете PDF
  • FQAF11N90C Изтеглете таблица с данни
  • FQAF11N90C захранване
  • FQAF11N90C доставчик
  • FQAF11N90C Цена
  • FQAF11N90C Информационен лист
  • FQAF11N90C Изображение
  • FQAF11N90C снимка
  • FQAF11N90C Складова наличност
  • FQAF11N90C Наличност
  • FQAF11N90C оригинал
  • FQAF11N90C Най-
  • FQAF11N90C отличен
  • FQAF11N90C Без олово
  • FQAF11N90C спецификация
  • FQAF11N90C Горещи оферти
  • FQAF11N90C Цена на прекъсване
  • FQAF11N90C Технически данни